场效应晶体管缩写(fet))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。国创在此就说说场效应晶体管原理！
场效应管原理用一句话说，就是漏极-源极间流经沟道的id，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制id;。更正确地说，id流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在vgs=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加vds的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流id流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，id饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生id的饱和现象。其次，vgs向负的方向变化，让vgs=vgs(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且vds的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
以上就是
九游会网页-九游会俱乐部关于场效应晶体管原理介绍。由于场效应晶体管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，所以场效应晶体管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。如果您想要了解更多关于场效应晶体管的相关信息的话，欢迎在线咨询我们国创客服或是拨打服务热线029-85251919进行咨询，我们将竭诚为您提供优质的服务！